[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-6] 高温・高湿環境下でのシリコン窒化膜表面酸化

〇奥 友希¹、志賀 俊彦¹、戸塚 正裕¹、渡辺 斉¹ (1.三菱電機　波光電)

キーワード：シリコン窒化膜、耐湿性、分子軌道計算

欠陥濃度の高いSiNx膜の耐湿性劣化は膜酸化が原因である。前報ではH₃O^＋、OH^-ｲｵﾝの攻撃でNH₂表面終端がOHに置換することを示した（求核置換反応）。本報告では更に深部1、2層の酸化反応を分子軌道計算で解析した。その結果、深部の酸化は表面終端のOH置換より起こりにくいことが分った。一方、ﾎﾞﾝﾄﾞ切断や欠陥による反応障壁の低下が明確に認められないので、深部の酸化は単純な求核置換反応の繰り返しでは説明できないと考える。