[19p-P6-1~8] 8.3 Deposition of thin film and surface treatment

[19p-P6-5] Surface Treatment of Semiconductor Emitter for Thermionic Energy Converter Using Oxygen Gas Mixture Plasma

〇takatoshi watanabe¹, Atsushi Hada¹, Kengo Inoue¹, Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:thermionic emission,semiconductor,microwave plasma

光支援熱電子発電はエミッタに半導体を用いることで、光の量子的な効果を併用し従来の熱電子発電より低温動作かつ出力増加が期待されている。本研究ではエミッタ材料としてp-Si(111)を用い、Si表面に酸素混合プラズマを照射し、エミッタ加熱とともにCsを供給することで電子放出特性を測定し、プラズマ照射による電子親和力の低減効果に関して調査した。結果として、Cs/O/Siの規則的な原子の配列が電子放出の増大につながった。