[19p-P6-1~8] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[19p-P6-6] 大気圧プラズマジェットにより処理した熱電子発電器用Siエミッタの電子放出特性

〇(M1)村田 健二朗¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：熱電子放出、大気圧プラズマジェット、酸化

熱電子発電器に用いるSi半導体エミッタ表面へ酸素及びアルカリ金属を吸着させる事で、電子親和力が低減でき、電子放出特性が改善される。本研究では表面酸化の方法として大気圧プラズマジェット処理を選択した。またCsは基板を500℃まで加熱した状態でCsディスペンサーに流す電流を制御しながら供給し、その時の電子放出特性を観測した。結果として、Cs供給量増加に伴い放出電流密度の上昇が確認できた。