[19p-P6-1~8] 8.3 Deposition of thin film and surface treatment

[19p-P6-8] Formation of amorphous silicon nitride by electron-beam induced reaction combined with low-temperature tunneling reactions of H atoms with solid SiF₄ films

〇Nao Sakamaki¹, Tetsuya Sato¹, Kiyokazu Nakagawa¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:amorphous silicon,silicon nitride,Cryogenic Temperature

我々は水素原子のトンネル反応と、低速電子線照射による電子線誘起反応を組み合わせた化学気相堆積法「EBICVD-LTTR法」により非晶質シリコン系薄膜(a-Si:H、a-SiN_x:H、a-SiC:H)および微結晶Si（nc-Si:H）が形成可能であることを示した¹⁾。この極低温合成法を、次世代太陽電池などの量子ドット構造デバイスの創製に応用するために、先ずnc-Si:H選択形成のための低温プロセスを検討してきた²⁾。四フッ化ケイ素(SiF₄)とXe混合ガス凝縮層への電子励起により合成したa-S:Fは、レーザーアニールにより結晶化され易いことを見出した。本研究では、マトリックスであるa-SiN膜の低温合成プロセスとその物性について報告する