[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

[19p-S011-10] 近接場過渡レンズ法によるInGaN単一量子井戸におけるキャリアダイナミクスの評価

〇塚本 真大¹、石井 良太¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：過渡レンズ法、近接場光学顕微鏡、キャリアダイナミクス

サファイア基板上緑色発光InGaN単一量子井戸構造の試料に関して，近接場光学顕微鏡を用いた過渡レンズマッピング測定とPLマッピング測定を同一領域にて行った結果を提示し，キャリアの再結合ダイナミクスに関する検討を行う予定である．