[19p-S011-1~11] 発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来

△ [19p-S011-3] PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの影響評価

〇鈴木 涼太¹、池野 成裕^1,2、小島 拓人¹、大下 祥雄³、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.豊田工大)

キーワード：PLイメージング