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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-S223-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年3月19日(土) 15:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

上野智雄(農工大)、嵯峨幸一郎(ソニー)

16:00 〜 16:15

[19p-S223-3] GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響

〇(B)山田健太郎¹、近藤圭悟¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：Si量子ドット、フォトルミネッセンス、コアシェル構造

　　　