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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村友二(富士通研)、角嶋邦之(東工大)

16:15 〜 16:30

[19p-S423-10] 界面ダイポール密度の制御による金属/Ge界面のフェルミレベルピンニング緩和の試み

〇西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

キーワード：フェルミレベルピンニング

　　　