[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-12] 気相合成したW内包Siクラスターを単位構造とするWシリサイド薄膜の膜質評価

〇岡田 直也^1,2、内田 紀行²、金山 敏彦² (1.JSTさきがけ、2.産総研)

キーワード：CVD、シリサイド、金属-半導体コンタクト

WF₆とSiH₄を原料ガスとしたW原子内包Siクラスターを単位構造とする半導体薄膜（WSi_n膜）のCVDを検討している。WSi_n膜の特性を明らかにするために、光学ギャップや膜中のSiの結合状態を評価した。Siアモルファスネットワークの乱雑性やエネルギーギャップ内の状態密度が低いことがわかった。これは、WSi_n膜が均一組成のクラスターから構成されていることに由来する。