[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-16] トランジスタプロセスへの応用へ向けたGe表面の酸素エッチング技術

〇森田 行則¹、前田 辰郎¹、太田 裕之¹、水林 亘¹、大内 真一¹、昌原 明植¹、松川 貴¹、遠藤 和彦¹ (1.産業技術総合研究所)

キーワード：エッチング、Ge、酸素

Ge立体チャネルトランジスタへの応用を目指した加工技術研究の一環として、Geチャネルの平坦化及び加工に、低圧の酸素ガスによる直接Geエッチングを適用した。酸素エッチングは古くから Si 表面上で研究されてきた現象であり、表面に解離吸着した酸素がモノオキサイド (Si表面の場合SiO) の形で表面から脱離することで進行する。今回、Ge(001)表面の酸素エッチングに対する系統的な実験を行い、実際のデバイスプロセスへの適用を検討した。