2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)

14:45 〜 15:00

[19p-S423-5] 弾道電子の還元効果を利用したCu薄膜のプリンティング堆積

須田 隆太郎1、八木 麻実子1、小島 明1、白樫 淳一1、越田 信義1 (1.農工大・院・工)

キーワード:ナノシリコン、弾道電子、プリンティング堆積

ナノシリコン弾道電子源から放出された電子は高い還元力を有しており、電子が物質塩溶液に注入されると陽イオンが還元され当該物質の薄膜が形成される。この効果を発展させ、溶液を塗布した対向基板に弾道電子を近接照射するプリンティング方式を開発した。ここでは、Cu薄膜堆積を対象に絶縁性基板を含む種々の基板への適用性を確認した。