[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-7] Ar⁺イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化反応の高精度制御

〇(B)大場 俊輔¹、橋本 修一郎¹、武井 康平¹、ソン セイ¹、張 旭¹、徐 泰宇¹、麻田 修平¹、臼田 稔宏¹、遠藤 清¹、富田 基裕^1,2,3、徳武 寛紀³、今井 亮佑³、小椋 厚志³、松川 貴⁴、昌原 明植⁴、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振PD、3.明大理工、4.産総研)

キーワード：シリサイド、ナノワイヤ