2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)

15:15 〜 15:30

[19p-S423-7] Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化反応の高精度制御

〇(B)大場 俊輔1、橋本 修一郎1、武井 康平1、ソン セイ1、張 旭1、徐 泰宇1、麻田 修平1、臼田 稔宏1、遠藤 清1、富田 基裕1,2,3、徳武 寛紀3、今井 亮佑3、小椋 厚志3、松川 貴4、昌原 明植4、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.学振PD、3.明大理工、4.産総研)

キーワード:シリサイド、ナノワイヤ