[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19p-S423-8] PtHfシリサイドの形成におけるHfN保護層の効果

〇(M2)Chen Mengyi¹、政広 泰²、大見 俊一郎¹ (1.東工大、2.田中貴金属)

キーワード：シリサイド、障壁高さ、コンタクト抵抗率

MOSFETの微細化に伴いシリサイドとソース/ドレイン間のコンタクト抵抗の増大が課題となっている。本研究では、良好な耐熱性を有するPtSiのn-Siに対するコンタクト抵抗の低減を目的として、低い仕事関数を有するHfとの混晶化によるn-Siに対する障壁高さの低減に関する検討を行っている。今回我々は、PtHf合金ターゲットを用いたPtHfシリサイドの形成およびHfN保護層の効果について検討を行ったので報告する。