[19p-W621-1~12] 8.4 プラズマエッチング

[19p-W621-11] 中性粒子ビーム励起錯体反応による遷移金属エッチングメカニズムのTight-binding量子分子動力学法を用いた検討

〇久保田 智広¹、伊藤 寿²、久保 百司²、寒川 誠二^1,3 (1.東北大流体研、2.東北大金研、3.東北大WPI-AIMR)

キーワード：遷移金属錯体、磁気抵抗メモリ、エッチング加工

遷移金属（特に磁性材料）の異方性エッチングプロセスは、磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化のために極めて重要である。最近、谷・寒川らにより報告された、中性粒子ビームによる酸化錯体反応を用いることにより遷移金属や磁性体の異方性ダメージフリーエッチングについて、理論計算を用いた検討を進めている。より大きなモデルを用いてより長時間の計算を行うために、tight-binding近似に基づく量子分子動力学法を用いて検討を行った。