[19p-W834-1~17] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[19p-W834-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Growth Mechanism of MnAs/InAs Double Heterojunction Nanowires

〇Ryutaro Kodaira¹, Kyohei Kabamoto¹, Shinya Sakita¹, Shinjiro Hara¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:selective-area metal-organic vapor phase epitaxy,semiconducting InAs nanowires,ferromagnetic MnAs nanoclusters

強磁性体MnAsナノクラスタ (NC)/半導体InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤ (NW)を用いた新奇の高性能縦型NWスピンMOSFETの実現に向けて、MnAs NCのサイズや位置制御を目的に成長条件依存性を行い、その成長メカニズムを調査した。詳細な構造評価から、NCの形成にInAs NW中のIn及びAs原子の脱離が大きく影響していることが明らかになった。