2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年3月20日(日) 09:00 〜 11:45 H101 (本館)

旦野 克典(トヨタ自動車)

09:15 〜 09:30

[20a-H101-2] SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算

〇(B)畑佐 豪記1、原田 俊太1、田川 美穂1、村山 健太1、加藤 智久2、宇治原 徹1 (1.名大、2.産総研)

キーワード:SiC、溶液成長、熱力学

SiC溶液成長において、不純物取り込みの抑制と成長速度の上昇を両立させるために、種々の溶媒の炭素溶解度を計算した。その結果、成長速度の上昇が報告されているCrやTiは炭素溶解度を大きく増加させることが明らかとなった。またCrやTiよりも不純物として取り込まれにくいYはCr以上の炭素溶解度を有し、不純物取り込みの抑制と成長速度の上昇の両立の期待が示唆された。