[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-3] SiC溶液成長時のスパイラル成長とステップの競合過程のその場観察

〇川西 咲子^1,2、吉川 健¹ (1.東大生研、2.東北大多元研)

キーワード：SiC、溶液成長、その場観察

SiCの溶液成長界面のその場観察により、スパイラル成長と、他のドメインから進行するステップの競合過程を調査した。高さ300nmを超えるステップがスパイラル中心を通過した際には、スパイラル成長が停止する様子が観察され、スパイラル中心を通過する際のステップの高さが成長モードの決定に大きく寄与することが明らかになった。