[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-4] SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係

〇堀 司紗¹、村山 健太¹、原田 俊太¹、肖 世玉¹、田川 美穂¹、宇治原 徹¹ (1.名大院工)

キーワード：結晶成長、SiC

低損失・高耐圧SiCパワーデバイスの実現に向けて、SiC結晶中の欠陥密度低減が求められている。溶液成長法では、長時間成長を行うと基底面転位密度が減少することが報告されている。しかし、基底面転位の挙動に関する詳細なメカニズムは明らかになっていない。本研究では、SiC溶液成長結晶の表面モフォロジーを微分干渉顕微鏡、基底面転位をX線トポグラフィーで評価することで、基底面転位の挙動と表面モフォロジーの関係を調査した。