[20a-H101-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-H101-5] Improvement of conversion ratio of TED by step shape during solution growth of 4H-SiC

〇Kazuaki Seki¹, Kazuhiko Kusunoki¹, Hiroshi Kaido¹, Koji Moriguchi¹, Kazuhito Kamei² (1.Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp., 2.Waseda Univ.)

Keywords:SiC,Solution growth

溶液法によるSiCの成長では、オフ角を設けた基板上に成長することで成長過程においてTSD(貫通らせん転位)からFSF(フランク型積層欠陥)、TED(貫通刃状転位)からBPD(基底面内転位)の変換が高効率に生じることが報告されており、貫通転位が成長方向に対してほぼ垂直に屈曲するために高品質結晶を得ることができる。本報告では、実験室系X線トポとエッチングを利用して転位変換挙動を詳細に調べ、TED変換率を向上させた。