[20a-H101-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-H101-6] Evaluation of crystalline quality of 4H-SiC bulk crystal grown by solution growth method

〇Kazuhiko Kusunoki¹, Kazuaki Seki¹, Yutaka Kishida¹, Hiroshi Kaido¹, Koji Moriguchi¹, Nobuhiro Okada¹, Hironori Daikoku², Motohisa Kado², Masayoshi Doi², Katsunori Danno², Akinori Seki², Kazuaki Sato², Takeshi Bessho², Shunta Harada³, Toru Ujihara³ (1.Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp., 2.Toyota Motor Corp., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:SiC,Solution Growth

溶液法によるSiCの結晶成長は、高品質結晶が得られる手法として注目されている。当研究グループはこれまでに、溶媒の最適化や溶液の撹拌方法の改善による成長速度向上、メニスカス成長による長尺成長、成長界面制御による溶媒インクルージョンの抑制等、溶液法によるSiCの成長の様々な技術課題の解決に取り組んできた。その結果、現在は4°オフの溶液法ウエハの試作を行っている。本発表では、当研究グループの溶液法によるバルク結晶成長技術と、得られた溶液法ウエハの結晶品質について報告する。