[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-7] 複屈折観察による単結晶4H-SiC基板の結晶転位の評価

〇竹中 研介²、加藤 智久¹、松永 達也¹、武井 学²、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.富士電機)

キーワード：SiC、複屈折、偏光顕微鏡

単結晶SiC基板中の結晶転位はデバイスキラー欠陥となる可能性があるため、簡便な検出方法が求められている。本研究では、光源の光の拡散性を制御した透過偏光顕微鏡により結晶転位の観察を試みた結果を報告する。