[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-5] 4H-SiC溶液成長におけるステップ形状によるTED変換率向上

〇関 和明¹、楠 一彦¹、海藤 宏志¹、森口 晃治¹、亀井 一人² (1.新日鐵住金、2.早稲田大学)

キーワード：SiC、溶液成長

溶液法によるSiCの成長では、オフ角を設けた基板上に成長することで成長過程においてTSD(貫通らせん転位)からFSF(フランク型積層欠陥)、TED(貫通刃状転位)からBPD(基底面内転位)の変換が高効率に生じることが報告されており、貫通転位が成長方向に対してほぼ垂直に屈曲するために高品質結晶を得ることができる。本報告では、実験室系X線トポとエッチングを利用して転位変換挙動を詳細に調べ、TED変換率を向上させた。