[20a-H101-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-H101-6] 溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価

〇楠 一彦¹、関 和明¹、岸田 豊¹、海藤 宏志¹、森口 晃治¹、岡田 信宏¹、大黒 寛典²、加渡 幹尚²、土井 雅喜²、旦野 克典²、関 章憲²、佐藤 和明²、別所 毅²、原田 俊太³、宇治原 徹³ (1.新日鐵住金、2.トヨタ自動車、3.名大)

キーワード：SiC、溶液成長

溶液法によるSiCの結晶成長は、高品質結晶が得られる手法として注目されている。当研究グループはこれまでに、溶媒の最適化や溶液の撹拌方法の改善による成長速度向上、メニスカス成長による長尺成長、成長界面制御による溶媒インクルージョンの抑制等、溶液法によるSiCの成長の様々な技術課題の解決に取り組んできた。その結果、現在は4°オフの溶液法ウエハの試作を行っている。本発表では、当研究グループの溶液法によるバルク結晶成長技術と、得られた溶液法ウエハの結晶品質について報告する。