[20a-H101-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-H101-8] Local Strain Analysis of Surface Damaged Layers in SiC Wafer by EBSD-Wilkinson Technique

〇Susumu Tsukimoto^1,2, Tatsuhiko Ise^1,3, Satoshi Hashimoto², Tsuguo Sakurada², Junji Senzaki¹, Tomohisa Kato¹, Kazutoshi Kojima¹ (1.AIST, 2.JFE Techno-Research, 3.Asahi Diamond Industrial)

Keywords:EBSD strain analysis,Surface damaged layer

SEM-EBSD検出器及びWilkinson解析法を用いて、SiCウェハの研削加工によって形成される加工変質層の格子歪みや結晶方位を局所解析をおこない、加工変質層の素性を明らかにすることでウェハ反りとの相関について考察する。