[20a-H103-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-H103-10] パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成

〇須藤 建瑠^1,2、矢板 潤也^1,2、岩崎 孝之^1,2,3、波多野 睦子^1,2,3 (1.東工大院、2.CREST、3.ALCA)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル成長