[20a-H103-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-H103-8] 格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長Ⅱ

〇市川 公善¹、児玉 英之¹、鈴木 一博²、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.トウプラスエンジニアリング)

キーワード：ダイヤモンド

格子状核発生領域を用いた横方向成長は、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の高品質化に有効である。間隔100mm、設計方位が<100>及び<110>の格子状核発生領域から成長させたダイヤモンド膜において、それぞれエッチピット密度が8×10⁶ cm^-2, 2×10⁷ cm^-2と従来の成長法と比較して低い値が得られた¹⁾。この設計方位の差による最終的な成長表面での転位密度の違いは、それぞれの成長様式を反映した結果だと考えられるが、詳細な面内の結晶性や転位分布などは、明らかになっていない。今回は、それぞれの格子状核発生領域から成長させたダイヤモンド膜の結晶性の面内分布をラマン分光法により評価した.