[20a-H112-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20a-H112-10] イオン注入を利用した圧縮歪みSi/緩和Si_1-xC_xヘテロ構造の作製におけるイオン注入条件の検討

〇有澤 洋¹、澤野 憲太郎²、宇佐美 徳隆¹ (1.名古屋大、2.東京都市大)

キーワード：歪みSi、イオン注入、Ⅳ族混晶