11:15 〜 11:30 [20a-H112-10] イオン注入を利用した圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製におけるイオン注入条件の検討 〇有澤 洋1、澤野 憲太郎2、宇佐美 徳隆1 (1.名古屋大、2.東京都市大)