[20a-H113-1~12] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-H113-6] n型ドーパント近傍におけるSi空孔クラスターの安定性に関する第一原理計算

〇河合 宏樹¹、中崎 靖¹、金村 貴永² (1.東芝研開セ、2.東芝S&S)

キーワード：空孔、不純物、第一原理計算

Si結晶中の空孔二量体V₂と不純物X(=P, As)の複合体XV₂の分解反応について、第一原理計算によって調べた。計算の結果、V放出に至る活性化障壁はほぼ等しいが、PV₂では準安定構造VPV'を経由した二段階反応により見掛けの障壁が低下するのに対して、AsV₂では準安定構造がなく活性化障壁を一段階で超える必要がある、という違いが見られた。以上より、Asドープは空孔クラスターをより安定化しクラスターの多量体化を促すことが示唆された。