[20a-H121-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-H121-5] Observation of InGaN surface roughness recovery using an in-situ laser scattering

〇(M1)Tetsuya Yamamoto¹, Akira Tamura¹, Kentaro Nagamatsu¹, Shugo Nitta^1,3, Yoshio Honda^1,3, Hiroshi Amano^1,2,3 (1.Nagoya Univ., 2.ARC, 3.IMaSS)

Keywords:InGaN,in-situ

窒化物半導体の有機金属気相成長における成長中の表面粗さのその場観察のために多波長レーザを用いている。本手法では表面粗さやInGaN混晶へのIn取込みを評価することが可能である。InGaN成長時には余剰なTMI供給により、Inドロップレットが発生し発光特性を悪化させることが知られている。今回、レーザ散乱その場観察を用いて、水素によりInドロップレットを消失させるInGaN表面粗さの回復を検討した。