[20a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-H121-5] レーザ散乱を用いたInGaN結晶成長表面粗さ回復の観察

〇(M1)山本 哲也¹、田村 彰¹、永松 謙太郎¹、新田 州吾^1,3、本田 善央^1,3、天野 浩^1,2,3 (1.名大院工、2.赤﨑記念研究センター、3.未来材料システム研究所)

キーワード：InGaN、その場観察

窒化物半導体の有機金属気相成長における成長中の表面粗さのその場観察のために多波長レーザを用いている。本手法では表面粗さやInGaN混晶へのIn取込みを評価することが可能である。InGaN成長時には余剰なTMI供給により、Inドロップレットが発生し発光特性を悪化させることが知られている。今回、レーザ散乱その場観察を用いて、水素によりInドロップレットを消失させるInGaN表面粗さの回復を検討した。