[20a-H135-1~12] 3.9 Terahertz technologies

[20a-H135-4] Time-Domain Thermoreflectance Characterization of GaAs MEMS Doubly Clamped Beam Structures for Terahertz Detection

〇Suguru Hosono¹, Ya Zhang¹, Jeremie Maire¹, Naomi Nagai¹, Akio Higo², Yoshiaki Nakano³, Masahiro Nomura^1,4, Kazuhiko Hirakawa^1,4 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.Univ. of Tokyo, 4.INQIE, Univ of Tokyo)

Keywords:Terahertz Detection,MEMS

我々は両持ち梁構造を有するMEMSを用いた室温動作テラヘルツ（THz）ボロメータを提案している。MEMS両持ち梁構造の高いQ値を利用して、両持ち梁にTHz電磁波が入射した際の温度上昇を、梁の共振周波数の変化として高感度に読み取るものである。本発表では、サーモリフレクタンス法（TDTR法）により、梁構造の基本的なパラメータである共振周波数、Q値、梁振動数の過渡変化について評価した結果について報告する。