[20a-P1-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-P1-5] Properties of Lead-Free BIT Piezoelectric Thin Film by Sputtering Method

〇Hideaki Mizusaki¹, So Yonekubo¹, Kenichi Kudo¹, Takashi Nishinoiri², Mamoru Okutomi², Yasushi Kodama², Kensuke Mizukoshi², Akira Hirabayashi² (1.Nagano Pref. GITC, 2.Ceratech Japan)

Keywords:Lead-Free Piezoelectric Thin Film,Sputtering

チタン酸ビスマス系セラミックス作製の知見をもとに、組成を調整したスパッタターゲットを作製し、BIT系薄膜の形成を行った。高周波電力60 Wにおいて(171)面の成長が確認され、高周波電力により結晶成長に違いが見られた。分極ヒステリシス測定結果より、分極量は小さいものの、強誘電体特性を示すことを確認できた。