[20a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-P1-9] 圧電型触覚センサのためのBiFeO₃薄膜の作製と評価

〇河野 壮¹、三原 雅人¹、田辺 任¹、安部 隆¹、奥山 雅則²、寒川 雅之¹ (1.新潟大工、2.大阪大工)

キーワード：Tiマイクロカンチレバー、BiFeO3、触覚センサ

我々はこれまで、マイクロカンチレバー構造とNiCrひずみゲージを用いた触覚センサの研究を行ってきた。今回、低消費電力化や出力の安定化のため、圧電体を検知部として用いることを目指し、鉛・アルカリフリーのBiFeO₃薄膜をSi基板およびTi基板上に製膜し特性を評価した。いずれの基板の場合でも良好な結晶性と強誘電性が得られたが、Siに比べてTi上では残留分極が1/10以下と小さくなった。