[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-60] 単層MoS₂における多原子空孔の研究

〇浦崎 柊¹、影島 博之¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：MoS2、原子空孔、第一原理計算

単層のMoS₂における原子空孔ついて、形成エネルギーの化学ポテンシャル依存性と帯電依存性を第一原理計算により解析した．その結果、エネルギー的にいずれの原子空孔も正にはほとんど帯電せず、負に帯電しやすいことが分かった．また、電子化学ポテンシャルが増加すると形成エネルギーが減少し、原子空孔が安定化することが明らかとなった．当日は形成エネルギーの帯電依存性とバンド構造の関連性についても議論する．