[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-10] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上

〇永冨 雄太¹、田中 慎太郎¹、建山 知輝¹、山本 圭介²、王 冬¹、中島 寛² (1.九大総理工、2.九大産連センター)

キーワード：Ge MOSFET、正孔移動度、固定電荷

我々は，絶縁膜/Ge界面の高品質化についてAl堆積後熱処理(Al-PMA)効果を報告している．これは，界面欠陥を低減してp-MOSFETの正孔移動度を向上させる手法である．しかし，その移動度向上の機構については未だ解明されていない．今回，我々はその機構について，PMA温度と界面準位密度との関係，PMAによる界面の構造変化，およびPMA温度とp-MOSFETのチャネル移動度との関係，を詳細に調査した．