[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

▼ [20a-S221-12] Influence of Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS interface structures on the slow trap density

〇(D)柯 夢南^1,2、玉 虓^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大、2.JST-CREST)

キーワード：semiconductor