[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [20a-S221-3] 電荷移動型分子動力学法により作成したSi/SiO₂界面構造の評価

〇(D)高本 聡¹、山崎 隆浩^2,3、大野 隆央^2,3,4、金田 千穂子^3,5、泉 聡志¹、酒井 信介¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)

キーワード：分子動力学、酸化シミュレーション、電荷移動型ポテンシャル

本研究では，多数のアモルファス構造を合わせこんだ電荷移動型ポテンシャルを使用し，表面からのO₂分子の侵入によるナノ秒オーダーでの初期酸化のMDを行った．得られた構造について酸化膜の密度および界面でのSiの電荷分布を計算し，実験値と傾向が一致することを確認した．酸化の進行に伴い界面のSiの一部が表面側へ移動する様子や，酸化後のMDによりSiの3配位構造のサイトが表面側へ移動する様子がみられた．