[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-6] アモルファスシリコンTFT 閾値電圧のゲート絶縁膜依存性

〇安藤 正彦¹、若木 政利¹、鬼沢 賢一² (1.日立研開、2.古賀総研)

キーワード：アモルファスシリコン、TFT、ゲート絶縁膜

結晶シリコン(c-Si)用ゲート絶縁膜材料が熱酸化シリコン(SiOx)であるのに対して、a-Si 用ゲート絶縁膜材料には窒化シリコン(SiNx)が標準的に用いられるが、その理由を体系的に説明した報告は殆どない。本報告では、a-Si 半導体とチャネルを形成する界面と電気的絶縁性を与えるバルクに夫々
SiNx とSiOx を適用した合計4 種類の絶縁膜をa-Si TFT に適用して、閾値電圧(Vth)とゲート直流
バイアスストレス電圧印加に伴う閾値電圧シフト(ΔVth)のゲート絶縁膜依存性を明らかにする。