[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-8] PLDによるルチル型TiO₂/Ge 作製条件の検討

〇(M1)鈴木 良尚^1,2、長田 貴弘²、山下 良之²、生田目 俊秀²、小椋 厚志¹、知京 豊裕² (1.明治大学大学院、2.物質・材料研究機構)

キーワード：Ge、酸化チタン