[20a-S222-1~11] 21.1 Joint Session K

[20a-S222-4] Thermal stability of Ti-doped ZnO transparent conductive films deposited by DC magnetron sputtering method

Toshiki Kitao¹, 〇Hisao Makino^1,2, Nomoto Junichi², Yamamoto Tetsuyta², Kunihiko Nakata³ (1.Kochi Univ. of Tech., 2.Res.Inst. Kochi Univ. of Tech., 3.Sumitomo-Chem.)

Keywords:ZnO,Transparent conductive film

DCマグネトロンスパッタ法によって成膜したTiドープZnO透明導電膜の耐熱性について報告する。膜厚500nmのTiドープZnO透明導電膜と比較用に成膜したAlドープZnO透明導電膜を窒素雰囲気中と大気雰囲気中で30分間熱処理し、電気特性、光学特性、結晶構造を評価した。Ti濃度依存性から、Ti添加量の増加に伴い、熱的安定性が増すことが分かった。Ti添加濃度1.8％では、500℃でのアニール後でも窒素中での抵抗変化率26％、大気中での抵抗変化率70％に抑えられており、高い耐熱性を示すことが確認された。