[20a-S222-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-S222-4] DCスパッタ法で成膜したTi添加ZnO透明導電膜の熱安定性

北尾 寿貴¹、〇牧野 久雄^1,2、野本 淳一²、山本 哲也²、中田 邦彦³ (1.高知工科大シス工、2.高知工科大総研、3.住友化学)

キーワード：ZnO透明導電膜、耐熱性

DCマグネトロンスパッタ法によって成膜したTiドープZnO透明導電膜の耐熱性について報告する。膜厚500nmのTiドープZnO透明導電膜と比較用に成膜したAlドープZnO透明導電膜を窒素雰囲気中と大気雰囲気中で30分間熱処理し、電気特性、光学特性、結晶構造を評価した。Ti濃度依存性から、Ti添加量の増加に伴い、熱的安定性が増すことが分かった。Ti添加濃度1.8％では、500℃でのアニール後でも窒素中での抵抗変化率26％、大気中での抵抗変化率70％に抑えられており、高い耐熱性を示すことが確認された。