[20a-S222-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20a-S222-7] プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法によるITOおよびIZO透明導電膜の成膜

〇宮崎 裕介¹、丸山 恵莉¹、賈 軍軍¹、待永 広宣²、宮崎 司²、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.日東電工)

キーワード：スパッタリング、ITO、IZO

本研究では合金ターゲットを用いた、反応性dcマグネトロンスパッタ法によりIZOおよびITO薄膜を作製し、物性解析を行った。反応性スパッタプロセス制御のために高速のPID制御器を用いたプラズマ発光制御法を採用し、成膜はPET基板および石英基板上に行った。プラズマ発光制御を用いて150⁰Cに加熱したガラス基板上に作製したIZOおよびITO薄膜の最小比抵抗値はそれぞれ3.0×10^-4 Ωcm, 4.5×10^-4 Ωcmであり、可視光透過率は80%以上を示した。