[20a-S321-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [20a-S321-10] Transverse-mode control of VCSELs using transverse coupled cavities

〇Hiroki Kobayashi^1,2, Masanori Nakahama^1,2, Fumio Koyama^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.P&I Lab.)

Keywords:semiconductor laser,coupled cavity,mode selection

近年, イメージングや分光分析など光応用計測の分野の発展は目覚ましく, 波長可変デバイスとしてMEMS VCSELが研究されている. しかし, 光コヒーレンストモグラフィ等の応用では数十mWの単一モード出力が必要であり, 現在の出力は数mW程度と小さいことが課題である.
本研究では，横方向結合共振器構造を用いた横モード制御構造により, 高出力単一モード動作の実現を目指している. 本報告ではGaInAs/GaAs VCSELの横モード制御について検討した.