[20a-S321-1~10] 3.13 半導体光デバイス

△ [20a-S321-10] 横方向結合共振器を用いた面発光レーザの横モード制御

〇小林 拓貴^1,2、中濵 正統^1,2、小山 二三夫^1,2 (1.東工大、2.精研)

キーワード：半導体レーザ、結合共振器、モード選択

近年, イメージングや分光分析など光応用計測の分野の発展は目覚ましく, 波長可変デバイスとしてMEMS VCSELが研究されている. しかし, 光コヒーレンストモグラフィ等の応用では数十mWの単一モード出力が必要であり, 現在の出力は数mW程度と小さいことが課題である.
本研究では，横方向結合共振器構造を用いた横モード制御構造により, 高出力単一モード動作の実現を目指している. 本報告ではGaInAs/GaAs VCSELの横モード制御について検討した.