[20a-S422-1~12] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[20a-S422-11] A Proposal of High Reliability Dual RESURF Nch-LDMOS with Low On-resistance

Junichi Matsuda¹, 〇Junya Kojima¹, Masataka Kamiyama¹, Nobukazu Tsukiji¹, Haruo Kobayashi¹ (1.Gunma Univ)

Keywords:LDMOS,reliability,Kirk effect

民生用の中高耐圧 (30~50V) LDMOSを車載用に展開する場合一層の信頼性が要求される。LDMOSのドレイン側ゲート端周りでのインパクト・イオン化を抑えた高信頼性デュアルRESURF Nch-LDMOSを提案し、デバイス・シミュレータにて特性が改善することを確認した。ゲート端近傍における提案構造(0.35μmルール相当)のインパクト・イオン化による正孔電流密度は従来に比べて一桁以上低下し、R_onA-BV_DS (トレードオフ特性)は今迄発表された中で最も良いレベルと同等である。