[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-11] 高信頼性・低オン抵抗デュアルRESURF Nch-LDMOSの提案

松田 順一¹、〇小島 潤也¹、神山 雅貴¹、築地 伸和¹、小林 春夫¹ (1.群馬大工)

キーワード：横方向二重拡散MOS、信頼性、Kirk 効果

民生用の中高耐圧 (30~50V) LDMOSを車載用に展開する場合一層の信頼性が要求される。LDMOSのドレイン側ゲート端周りでのインパクト・イオン化を抑えた高信頼性デュアルRESURF Nch-LDMOSを提案し、デバイス・シミュレータにて特性が改善することを確認した。ゲート端近傍における提案構造(0.35μmルール相当)のインパクト・イオン化による正孔電流密度は従来に比べて一桁以上低下し、R_onA-BV_DS (トレードオフ特性)は今迄発表された中で最も良いレベルと同等である。