2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス/集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

齋藤 真澄(東芝)

09:15 〜 09:30

[20a-S422-2] 電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用

土屋 敏章1 (1.島根大総理工)

キーワード:半導体、界面トラップ、チャージポンピング

著者らはこれまで,従来のチャージポンピング(CP)理論の根幹である界面トラップ1個当たりの最大CP電流を固定値fqfはゲートパルス周波数,qは電子電荷)としているのは誤りであり,0~2fqの値をとることを実証してきた.そこで,実際に個々のMOSトランジスタに含まれる界面トラップ数の真の値NTを求めたところ,一定値以上のNTの場合に,トラップ1個当たりのCP電流が殊更fq以下に抑制される傾向が見られた.この原因が界面トラップ間クーロン相互作用によるものか検討した.