[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-3] ランダムテレグラフノイズに起因するSRAM誤動作のトランジスタレベル解析

〇水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、竹内 潔¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：RTN、SRAM、SOI

内部ノードにアクセス可能なDMA-TEGを用いて，完全空乏型 (FD) Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 6T-SRAMのセル誤動作およびセルを構成する個々のセルトランジスタの特性を測定し，RTNがデータを誤反転させる事例を直接観測したので報告する．