[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-6] FinFETエクステンションへの注入イオン種とGIDLの関係

〇松川 貴¹、大塚 慎太郎¹、森 貴洋¹、森田 行則¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、昌原 明植¹ (1.産総研)

キーワード：FinFET、GIDL、イオン注入

本稿では、nMOS FinFETのエクステンションドーピングにおいて、P及びAsを注入した場合のGIDL発生の違いに注目し、解析を行った結果を報告する。Asのイオン注入による試料では、Pのイオン注入に比べ、median値で一桁程度大きなGIDLを観測した。TEM観察により、Asイオン注入試料ではfinエクステンションに顕著な残留欠陥が見られ、これによりGIDLが増大していると考えられる。